理想二极管IC

▼MF2003SV V-DiodeTM　
内置防逆流功能的Pch_MOSFET 实现了低功耗・小型化

▼MF2007SW
内置防止逆流功能的Nch_MOSFET 栅极驱动器IC

降低发热和损失
通过使用MOSFET，与SBD相比可以降低发热和功耗。
内置MOSFET Ron≒57mΩ
搭载有源钳位功能
搭载有源钳位功能 搭载ΔVDS≒40V左右的钳位功能，防止内置Pch_MOSFET击穿。
小型封装
采用可以使焊锡浸润侧爬的无引脚封装WSON8-4040(4.0㎜□尺寸)。

方框图
产品规格
  MF2003SV
封装 WSON8-4040
工作电压 2.5 to 40V
平均电流 5A
暗电流 ≦3μA
内置 Pch MOSFET Ron 53ｍΩ(Typ.)
反接保护 内置
防止反向电流 内置 (25mV 偏移比较器)
IFSM 70A
Toff 500ns（Typ.）

降低发热・功耗
由于是MOSFET，因此与SBD相比，有望降低发热和功耗。 发热和功耗取决于外置Nch_MOSFET。
有无防逆流功能的切换
使用REV端子的Hi/Lo，可决定是否使用防逆流功能。
不使用此功能：可双向导通。
支持高输入电压范围
支持4.5～65V的宽输入电压，可用于各种各样的设备。

方框图
产品规格
MF2007SW
封装 TSSOP10
動作電圧 4.5～65V
待机电流 ≦5μA （有外部信号）
升压电路输出电流 75μA（Typ.）
升压电压 12.5V（Typ.）
反向电流 OFF时间 200ns/0.7A（Typ.)
EN_OFF时间 50ns/0.12A（Typ.)
当电源接反时 电流降低+外部Gate放电
电荷泵 内置电容器

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